casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H817R8BZA
Número de pieza del fabricante | H817R8BZA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H817R8BZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H817R8BZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 17.8 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H817R8BZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H817R8BZA-FT |
H8169KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8169KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8169KBYA
TE Connectivity Passive Product
H8169KBZA
TE Connectivity Passive Product
H8169KDCA
TE Connectivity Passive Product
H8169KDYA
TE Connectivity Passive Product
H8169KDZA
TE Connectivity Passive Product
H8169RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8169RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8169RBYA
TE Connectivity Passive Product
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8LN
Intel
XC4VLX80-12FF1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84M
Microsemi Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
5AGXFB3H4F35I5N
Intel
EP2S130F780C4
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel