casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H817R8BDA
Número de pieza del fabricante | H817R8BDA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H817R8BDA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H817R8BDA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 17.8 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H817R8BDA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H817R8BDA-FT |
H8165RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8165RBZA
TE Connectivity Passive Product
H8169KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8169KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8169KBYA
TE Connectivity Passive Product
H8169KBZA
TE Connectivity Passive Product
H8169KDCA
TE Connectivity Passive Product
H8169KDYA
TE Connectivity Passive Product
H8169KDZA
TE Connectivity Passive Product
H8169RBCA
TE Connectivity Passive Product
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT6005-2AC
Microchip Technology
5SGXEB9R1H43I2N
Intel
5SGXMB5R3F43C2N
Intel
XC7VX330T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
10AX057K2F40I1SG
Intel
EP3SE80F780C4L
Intel
EP20K60EQI208-2
Intel