casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ2V2B-G3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ2V2B-G3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ2V2B-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V2B-G3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 2.2V |
Tolerancia | ±4% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 120µA @ 700mV |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V2B-G3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ2V2B-G3-18-FT |
BZX384C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TI144-2
Intel
XC4062XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
EP2S30F484C3N
Intel
5SGXEA7N1F40I2N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX485T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35C5N
Intel