casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZX384C8V2-HE3-08
Número de pieza del fabricante | BZX384C8V2-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZX384C8V2-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C8V2-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 700nA @ 5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C8V2-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZX384C8V2-HE3-08-FT |
BZX384C36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel