casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU810TB
Número de pieza del fabricante | GBU810TB |
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Número de parte futuro | FT-GBU810TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU810TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 8A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU810TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU810TB-FT |
GBU1004HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005 D2G
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GBU1005HD2G
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GBU1006HD2G
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GBU1007HD2G
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GBU15L05HD2G
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GBU15L06HD2G
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GBU401HD2G
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XC3030-100PC68C
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LFE2M50E-6F484C
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5AGXFA5H4F35C4N
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