Número de pieza del fabricante | GBU4M |
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Número de parte futuro | FT-GBU4M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU4M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU4M-FT |
GBL02
GeneSiC Semiconductor
GBL06
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DFB2080
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DFB2040
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DFB2580
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XC3S1200E-5FTG256C
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M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel