Número de pieza del fabricante | DB103G |
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Número de parte futuro | FT-DB103G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB103G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB103G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB103G-FT |
DMA150YC1600NA
IXYS
VUO190-14NO7
IXYS
VBO13-08NO2
IXYS
VBO13-12NO2
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XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
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5SGXEA7H2F35C2
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EP3SL340H1152I4LN
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LFE2M70SE-6FN900C
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LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
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10AX115N3F45I2SGE2
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EP2SGX60DF780C3N
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