Número de pieza del fabricante | DB103G |
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Número de parte futuro | FT-DB103G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB103G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB103G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB103G-FT |
DMA150YC1600NA
IXYS
VUO190-14NO7
IXYS
VBO13-08NO2
IXYS
VBO13-12NO2
IXYS
VBO13-16NO2
IXYS
FUE30-12N1
IXYS
FBE22-06N1
IXYS
FUS45-0045B
IXYS
FUO22-16N
IXYS
FBO16-12N
IXYS
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel