casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / FBE22-06N1
Número de pieza del fabricante | FBE22-06N1 |
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Número de parte futuro | FT-FBE22-06N1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFRED²™ |
FBE22-06N1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.13V @ 11A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 60µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | i4-Pac™-5 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FBE22-06N1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FBE22-06N1-FT |
2KBP08-BP
Micro Commercial Co
2KBP04-BP
Micro Commercial Co
2KBP06-BP
Micro Commercial Co
VBO52-08NO7
IXYS
VBO52-12NO7
IXYS
VBO52-16NO7
IXYS
VBO52-18NO7
IXYS
VBO72-08NO7
IXYS
VBO72-12NO7
IXYS
VBO72-16NO7
IXYS
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel