casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU1006TB
Número de pieza del fabricante | GBU1006TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU1006TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1006TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1006TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU1006TB-FT |
GBU1005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K2F40C2N
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation