casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBPC5010W-G
Número de pieza del fabricante | GBPC5010W-G |
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Número de parte futuro | FT-GBPC5010W-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC5010W-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 50A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 25A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, GBPC-W |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBPC-W |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5010W-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBPC5010W-G-FT |
DF04S-T
Diodes Incorporated
DF1504S
Diodes Incorporated
DF1506S
Diodes Incorporated
DF15005S
Diodes Incorporated
DF1501S
Diodes Incorporated
DF1502S
Diodes Incorporated
DF1508S
Diodes Incorporated
DF1510S
Diodes Incorporated
DF08M
Diodes Incorporated
DF04M
Diodes Incorporated
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel