Número de pieza del fabricante | DF08M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DF08M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF08M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF08M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DF08M-FT |
GBU1002
Diodes Incorporated
GBU610
Diodes Incorporated
GBU804
Diodes Incorporated
GBU1001
Diodes Incorporated
GBU1010
Diodes Incorporated
GBU6005
Diodes Incorporated
GBJ1504-F
Diodes Incorporated
GBJ2506-F
Diodes Incorporated
GBJ2006-F
Diodes Incorporated
GBJ810-F
Diodes Incorporated
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel