casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBPC5010-G
Número de pieza del fabricante | GBPC5010-G |
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Número de parte futuro | FT-GBPC5010-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC5010-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 50A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 25A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | QC Terminal |
Paquete / Caja | 4-Square, GBPC |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBPC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5010-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBPC5010-G-FT |
DF1504S
Diodes Incorporated
DF1506S
Diodes Incorporated
DF15005S
Diodes Incorporated
DF1501S
Diodes Incorporated
DF1502S
Diodes Incorporated
DF1508S
Diodes Incorporated
DF1510S
Diodes Incorporated
DF08M
Diodes Incorporated
DF04M
Diodes Incorporated
DF02M
Diodes Incorporated
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel