casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBPC5010-G
Número de pieza del fabricante | GBPC5010-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBPC5010-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC5010-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 50A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 25A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | QC Terminal |
Paquete / Caja | 4-Square, GBPC |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBPC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5010-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBPC5010-G-FT |
DF1504S
Diodes Incorporated
DF1506S
Diodes Incorporated
DF15005S
Diodes Incorporated
DF1501S
Diodes Incorporated
DF1502S
Diodes Incorporated
DF1508S
Diodes Incorporated
DF1510S
Diodes Incorporated
DF08M
Diodes Incorporated
DF04M
Diodes Incorporated
DF02M
Diodes Incorporated
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel