casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBPC2510(UM)E4/51
Número de pieza del fabricante | GBPC2510(UM)E4/51 |
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Número de parte futuro | FT-GBPC2510(UM)E4/51 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC2510(UM)E4/51 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | QC Terminal |
Paquete / Caja | 4-Square, GBPC |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBPC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC2510(UM)E4/51 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBPC2510(UM)E4/51-FT |
G3SBA20L-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20L-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20L-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256I7
Intel
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-11FFG672I
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C5N
Intel