casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / G3SBA60-E3/45
Número de pieza del fabricante | G3SBA60-E3/45 |
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Número de parte futuro | FT-G3SBA60-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G3SBA60-E3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 2A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G3SBA60-E3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | G3SBA60-E3/45-FT |
VSIB6A80-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8D-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4G-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4K-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4J-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6M-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8K-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4D-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4J-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel