casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA50JT17-247
Número de pieza del fabricante | GA50JT17-247 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GA50JT17-247 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GA50JT17-247 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 583W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA50JT17-247 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GA50JT17-247-FT |
IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R7XTMA2
Infineon Technologies
IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT012N06NATMA1
Infineon Technologies
IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies