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GeneSiC Semiconductor GA50JT12-263
- Número de pieza de MFG
- GA50JT12-263
- Cantidad disponible
- 12180 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Breve descripción
- * TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- GA50JT12-263.pdf
GA50JT12-263 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | GA50JT12-263 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-GA50JT12-263 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | * |
| GA50JT12-263 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | - |
| Tecnología | - |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| Paquete / Caja | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GA50JT12-263 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | GA50JT12-263-FT |
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