casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA50JT12-263
Número de pieza del fabricante | GA50JT12-263 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GA50JT12-263 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
GA50JT12-263 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA50JT12-263 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GA50JT12-263-FT |
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N014ATMA1
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IPLU250N04S41R7XTMA1
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IPLU300N04S41R1XTMA1
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IPLU300N04S4R7XTMA2
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IPT012N06NATMA1
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IPT020N10N3ATMA1
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IPT059N15N3ATMA1
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IPT111N20NFDATMA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel