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GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263

Name: GA10SICP12-263
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA10SICP12-263
Price: 22.33392 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (143 reviews)

Número de pieza de MFG: GA10SICP12-263

Cantidad disponible: 41370 Piezas

Precio de referencia: USD 22.33392

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fabricante: GeneSiC Semiconductor

Breve descripción: - TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: GA10SICP12-263.pdf

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Número de pieza del fabricante	GA10SICP12-263
Número de parte futuro	FT-GA10SICP12-263
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
GA10SICP12-263 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1403pF @ 800V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK (7-Lead)
Paquete / Caja	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA10SICP12-263 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	GA10SICP12-263-FT

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