casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GA10SICP12-263
Número de pieza del fabricante | GA10SICP12-263 |
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Número de parte futuro | FT-GA10SICP12-263 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GA10SICP12-263 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1403pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 170W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK (7-Lead) |
Paquete / Caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA10SICP12-263 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GA10SICP12-263-FT |
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