casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / FT24C02A-USR-B
Número de pieza del fabricante | FT24C02A-USR-B |
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Número de parte futuro | FT-FT24C02A-USR-B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT24C02A-USR-B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 550ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C02A-USR-B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FT24C02A-USR-B-FT |
GD25WD40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D80CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD9FU1G8F2AMGI
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD9FS1G8F2AMGI
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
MB85RS1MTPW-G-APEWE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel