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ON Semiconductor FQU2N60TU

Número de pieza de MFG
FQU2N60TU
Cantidad disponible
51400 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
QFET® MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-FQU2N60TU
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQU2N60TU Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 350pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU2N60TU Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FQU2N60TU-FT

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