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ON Semiconductor FQT1N80TF-WS

Name: FQT1N80TF-WS
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQT1N80TF-WS
Price: 0.371944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (308 reviews)

Número de pieza de MFG: FQT1N80TF-WS

Cantidad disponible: 70730 Piezas

Precio de referencia: USD 0.371944

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQT1N80TF-WS.pdf

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FQT1N80TF-WS Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FQT1N80TF-WS
Número de parte futuro	FT-FQT1N80TF-WS
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQT1N80TF-WS Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	200mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	195pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223-3
Paquete / Caja	TO-261-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQT1N80TF-WS Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQT1N80TF-WS-FT

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