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Infineon Technologies IRLR4343-701PBF

Número de pieza de MFG
IRLR4343-701PBF
Cantidad disponible
79220 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-IRLR4343-701PBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLR4343-701PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 26A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 740pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK (LF701)
Paquete / Caja TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR4343-701PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRLR4343-701PBF-FT

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