casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF30N06L
Número de pieza del fabricante | FQPF30N06L |
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Número de parte futuro | FT-FQPF30N06L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF30N06L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1040pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 38W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF30N06L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQPF30N06L-FT |
GP1M012A060H
Global Power Technologies Group
GP1M013A050H
Global Power Technologies Group
GP1M015A050H
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GP1M016A025HG
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GP1M016A060H
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GP1M018A020HG
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GP2M002A060HG
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GP2M002A065HG
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GP2M004A060HG
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GP2M004A065HG
Global Power Technologies Group
LFXP3C-3TN100C
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XC2V4000-5FF1517I
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A54SX72A-FGG256
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M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel