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Global Power Technologies Group GP2M004A065HG

Name: GP2M004A065HG
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP2M004A065HG
Availability: InStock
Rating: 4.8 (713 reviews)

Número de pieza de MFG: GP2M004A065HG

Cantidad disponible: 14680 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Global Power Technologies Group

Breve descripción: - MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: GP2M004A065HG.pdf

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GP2M004A065HG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	GP2M004A065HG
Número de parte futuro	FT-GP2M004A065HG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
GP2M004A065HG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	642pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	98.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M004A065HG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	GP2M004A065HG-FT

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