casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF16N25C
Número de pieza del fabricante | FQPF16N25C |
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Número de parte futuro | FT-FQPF16N25C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF16N25C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15.6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 53.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 43W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF16N25C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQPF16N25C-FT |
GP1M016A060H
Global Power Technologies Group
GP1M018A020HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050HG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M007A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060HG
Global Power Technologies Group
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel