casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQP11N50CF
Número de pieza del fabricante | FQP11N50CF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQP11N50CF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRFET® |
FQP11N50CF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2055pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 195W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP11N50CF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQP11N50CF-FT |
FDP3652
ON Semiconductor
FQP7N80C
ON Semiconductor
FQP3P20
ON Semiconductor
HUF75339P3
ON Semiconductor
FQP55N10
ON Semiconductor
FDP027N08B-F102
ON Semiconductor
FDP39N20
ON Semiconductor
FCP125N65S3R0
ON Semiconductor
FDP8870
ON Semiconductor
FCP36N60N
ON Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel