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ON Semiconductor FDP027N08B-F102

Name: FDP027N08B-F102
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP027N08B-F102
Price: 2.856 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (116 reviews)

Número de pieza de MFG: FDP027N08B-F102

Cantidad disponible: 24780 Piezas

Precio de referencia: USD 2.856

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDP027N08B-F102.pdf

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Número de pieza del fabricante	FDP027N08B-F102
Número de parte futuro	FT-FDP027N08B-F102
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDP027N08B-F102 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	178nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	13530pF @ 40V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	246W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP027N08B-F102 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDP027N08B-F102-FT

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