casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD7P20TM
Número de pieza del fabricante | FQD7P20TM |
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Número de parte futuro | FT-FQD7P20TM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD7P20TM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 2.85A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 770pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD7P20TM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQD7P20TM-FT |
ZVN4306AVSTOB
Diodes Incorporated
ZVN4306AVSTZ
Diodes Incorporated
ZVN4310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN4310ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTOA
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVNL120ASTOB
Diodes Incorporated
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation