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ON Semiconductor FQD5N60CTM_F080

Name: FQD5N60CTM_F080
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD5N60CTM_F080
Availability: InStock
Rating: 4.9 (765 reviews)

Número de pieza de MFG: FQD5N60CTM_F080

Cantidad disponible: 48300 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: QFET® MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQD5N60CTM_F080.pdf

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Número de pieza del fabricante	FQD5N60CTM_F080
Número de parte futuro	FT-FQD5N60CTM_F080
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQD5N60CTM_F080 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	670pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.5W (Ta), 49W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD5N60CTM_F080 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQD5N60CTM_F080-FT

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