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ON Semiconductor FQD12N20LTM-F085

Name: FQD12N20LTM-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD12N20LTM-F085
Price: 0.763528 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (278 reviews)

Número de pieza de MFG: FQD12N20LTM-F085

Cantidad disponible: 73860 Piezas

Precio de referencia: USD 0.763528

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, QFET® MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FQD12N20LTM-F085.pdf

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Número de pieza del fabricante	FQD12N20LTM-F085
Número de parte futuro	FT-FQD12N20LTM-F085
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, QFET®
FQD12N20LTM-F085 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1080pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D-Pak
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD12N20LTM-F085 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FQD12N20LTM-F085-FT

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