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Infineon Technologies AUIRLR120N

Name: AUIRLR120N
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRLR120N
Availability: InStock
Rating: 4.7 (32 reviews)

Número de pieza de MFG: AUIRLR120N

Cantidad disponible: 63200 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: AUIRLR120N.pdf

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AUIRLR120N Presupuesto

Número de pieza del fabricante	AUIRLR120N
Número de parte futuro	FT-AUIRLR120N
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
AUIRLR120N Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	440pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D-PAK (TO-252AA)
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRLR120N Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	AUIRLR120N-FT

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