casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQA8N80C_F109
Número de pieza del fabricante | FQA8N80C_F109 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQA8N80C_F109 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA8N80C_F109 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 220W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA8N80C_F109 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQA8N80C_F109-FT |
FQA40N25
ON Semiconductor
FQA70N15
ON Semiconductor
FQA24N60
ON Semiconductor
FQA30N40
ON Semiconductor
FDA24N50F
ON Semiconductor
FQA19N60
ON Semiconductor
TK62J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FDA8440
ON Semiconductor
FCA47N60
ON Semiconductor
FCA47N60-F109
ON Semiconductor
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation