casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDV302P-NB8V001
Número de pieza del fabricante | FDV302P-NB8V001 |
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Número de parte futuro | FT-FDV302P-NB8V001 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDV302P-NB8V001 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | -8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 350mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDV302P-NB8V001 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDV302P-NB8V001-FT |
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