casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDS6673BZ
Número de pieza del fabricante | FDS6673BZ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDS6673BZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS6673BZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 14.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4700pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS6673BZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDS6673BZ-FT |
FQAF16N25C
ON Semiconductor
FQAF17N40
ON Semiconductor
FQAF17P10
ON Semiconductor
FQAF19N20
ON Semiconductor
FQAF19N20L
ON Semiconductor
FQAF19N60
ON Semiconductor
FQAF22P10
ON Semiconductor
FQAF28N15
ON Semiconductor
FQAF33N10
ON Semiconductor
FQAF33N10L
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation