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ON Semiconductor FQAF19N60

Número de pieza de MFG
FQAF19N60
Cantidad disponible
14600 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
QFET® MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante FQAF19N60
Número de parte futuro FT-FQAF19N60
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQAF19N60 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3600pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3PF
Paquete / Caja TO-3P-3 Full Pack
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQAF19N60 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FQAF19N60-FT

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