casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDPF12N50T
Número de pieza del fabricante | FDPF12N50T |
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Número de parte futuro | FT-FDPF12N50T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDPF12N50T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1315pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 42W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPF12N50T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDPF12N50T-FT |
GP1M007A090H
Global Power Technologies Group
GP1M008A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050HG
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GP1M009A090H
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GP1M010A060H
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Global Power Technologies Group
LCMXO2-7000HE-6TG144I
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XC6SLX25-N3FGG484I
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M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
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