casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDP6030BL
Número de pieza del fabricante | FDP6030BL |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDP6030BL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDP6030BL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1160pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP6030BL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDP6030BL-FT |
FQP27P06
ON Semiconductor
FQP30N06L
ON Semiconductor
FQP2N60C
ON Semiconductor
FQP3P50
ON Semiconductor
FDP20N50
ON Semiconductor
FCP11N60F
ON Semiconductor
RFP70N06
ON Semiconductor
FQP13N10L
ON Semiconductor
FQP30N06
ON Semiconductor
FDP032N08
ON Semiconductor
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel