casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQP27P06
Número de pieza del fabricante | FQP27P06 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FQP27P06 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP27P06 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 120W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP27P06 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQP27P06-FT |
FQPF4N80
ON Semiconductor
FQPF4N90
ON Semiconductor
FQPF4N90CT
ON Semiconductor
FQPF4P40
ON Semiconductor
FQPF50N06
ON Semiconductor
FQPF50N06L
ON Semiconductor
FQPF55N10
ON Semiconductor
FQPF5N15
ON Semiconductor
FQPF5N20
ON Semiconductor
FQPF5N20L
ON Semiconductor
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel