casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDP24AN06LA0
Número de pieza del fabricante | FDP24AN06LA0 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDP24AN06LA0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDP24AN06LA0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.8A (Ta), 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1850pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP24AN06LA0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDP24AN06LA0-FT |
IRF530A
ON Semiconductor
FQP11P06
ON Semiconductor
FDP3672
ON Semiconductor
FQP6N90C
ON Semiconductor
FCP165N65S3
ON Semiconductor
FDP047N10
ON Semiconductor
FDP6030BL
ON Semiconductor
HUF75344P3
ON Semiconductor
FCP067N65S3
ON Semiconductor
FDP18N20F
ON Semiconductor
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel