casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDP20AN06A0
Número de pieza del fabricante | FDP20AN06A0 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDP20AN06A0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDP20AN06A0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta), 45A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 950pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 90W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP20AN06A0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDP20AN06A0-FT |
HUF75345P3
ON Semiconductor
IRF530A
ON Semiconductor
FQP11P06
ON Semiconductor
FDP3672
ON Semiconductor
FQP6N90C
ON Semiconductor
FCP165N65S3
ON Semiconductor
FDP047N10
ON Semiconductor
FDP6030BL
ON Semiconductor
HUF75344P3
ON Semiconductor
FCP067N65S3
ON Semiconductor
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel