casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDP20AN06A0
Número de pieza del fabricante | FDP20AN06A0 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDP20AN06A0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDP20AN06A0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta), 45A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 950pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 90W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP20AN06A0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDP20AN06A0-FT |
HUF75345P3
ON Semiconductor
IRF530A
ON Semiconductor
FQP11P06
ON Semiconductor
FDP3672
ON Semiconductor
FQP6N90C
ON Semiconductor
FCP165N65S3
ON Semiconductor
FDP047N10
ON Semiconductor
FDP6030BL
ON Semiconductor
HUF75344P3
ON Semiconductor
FCP067N65S3
ON Semiconductor
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel