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ON Semiconductor FDP10N60NZ

Name: FDP10N60NZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP10N60NZ
Price: 1.688 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (641 reviews)

Número de pieza de MFG: FDP10N60NZ

Cantidad disponible: 60400 Piezas

Precio de referencia: USD 1.688

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: UniFET-II™ MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDP10N60NZ.pdf

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FDP10N60NZ Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDP10N60NZ
Número de parte futuro	FT-FDP10N60NZ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	UniFET-II™
FDP10N60NZ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1475pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	185W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP10N60NZ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDP10N60NZ-FT

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