casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF3N30
Número de pieza del fabricante | FQPF3N30 |
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Número de parte futuro | FT-FQPF3N30 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF3N30 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.95A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 980mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 230pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 20W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF3N30 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQPF3N30-FT |
FCPF260N60E
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FCP20N60FS
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FCPF11N60T
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A3P015-1QNG68
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5SGXEA7N1F45I2N
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Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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