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ON Semiconductor FDP10AN06A0

Número de pieza de MFG
FDP10AN06A0
Cantidad disponible
55520 Piezas
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDP10AN06A0 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12A (Ta), 75A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1840pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP10AN06A0 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDP10AN06A0-FT

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