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FCP650N80Z Image

ON Semiconductor FCP650N80Z

Número de pieza de MFG
FCP650N80Z
Cantidad disponible
16960 Piezas
Precio de referencia
USD 2.576
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
SuperFET® II MOSFET N-CH 800V 10A
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie SuperFET® II
FCP650N80Z Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 800µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1565pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 162W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP650N80Z Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FCP650N80Z-FT

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