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FQP4N20L Image

ON Semiconductor FQP4N20L

Número de pieza de MFG
FQP4N20L
Cantidad disponible
68450 Piezas
Precio de referencia
USD 0.904
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
QFET® MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-FQP4N20L
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQP4N20L Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 310pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP4N20L Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FQP4N20L-FT

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