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ON Semiconductor FDN5618P_G
- Número de pieza de MFG
- FDN5618P_G
- Cantidad disponible
- 89150 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- fabricante
- ON Semiconductor
- Breve descripción
- PowerTrench® INTEGRATED CIRCUIT
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- FDN5618P_G.pdf
FDN5618P_G Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | FDN5618P_G |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-FDN5618P_G |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | PowerTrench® |
| FDN5618P_G Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.25A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 430pF @ 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | SuperSOT-3 |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDN5618P_G Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | FDN5618P_G-FT |
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