casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMS7570S
Número de pieza del fabricante | FDMS7570S |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDMS7570S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
FDMS7570S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Ta), 49A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4515pF @ 13V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (5x6) |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS7570S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMS7570S-FT |
FDC645N_F095
ON Semiconductor
FDC655AN
ON Semiconductor
FDFC2P100
ON Semiconductor
FDFC3N108
ON Semiconductor
NDC631N
ON Semiconductor
NDC632P
ON Semiconductor
NDC651N
ON Semiconductor
NDC652P
ON Semiconductor
SI3442DV
ON Semiconductor
FDY101PZ
ON Semiconductor
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel