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ON Semiconductor FDFC3N108

Número de pieza de MFG
FDFC3N108
Cantidad disponible
16410 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-FDFC3N108
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
FDFC3N108 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 355pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFC3N108 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDFC3N108-FT

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