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ON Semiconductor FDMS1D4N03S

Name: FDMS1D4N03S
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMS1D4N03S
Price: 0.79572 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (144 reviews)

Número de pieza de MFG: FDMS1D4N03S

Cantidad disponible: 93940 Piezas

Precio de referencia: USD 0.79572

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench®, SyncFET™ MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDMS1D4N03S.pdf

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FDMS1D4N03S Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDMS1D4N03S
Número de parte futuro	FT-FDMS1D4N03S
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®, SyncFET™
FDMS1D4N03S Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	211A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.09 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	10250pF @ 15V
Característica FET	Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max)	74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS1D4N03S Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDMS1D4N03S-FT

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