casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMC86116LZ
Número de pieza del fabricante | FDMC86116LZ |
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Número de parte futuro | FT-FDMC86116LZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMC86116LZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 310pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.3W (Ta), 19W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-MLP (3.3x3.3) |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC86116LZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMC86116LZ-FT |
FQI3N80TU
ON Semiconductor
FQI3N90TU
ON Semiconductor
FQI3P20TU
ON Semiconductor
FQI3P50TU
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FQI47P06TU
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FQI4N20LTU
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FQI4N25TU
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FQI4N80TU
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FQI4N90TU
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
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5CGXFC9C6F23I7N
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