casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDI8442
Número de pieza del fabricante | FDI8442 |
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Número de parte futuro | FT-FDI8442 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDI8442 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 23A (Ta), 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 12200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 254W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDI8442 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDI8442-FT |
BUK9C10-55BIT/A,11
Nexperia USA Inc.
BUK9C10-65BIT,118
Nexperia USA Inc.
BUK9J0R9-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9MJJ-55PSS/A,51
Nexperia USA Inc.
BUK9MJJ-55PTT,518
Nexperia USA Inc.
BUK9MMM-55PNN/A,51
Nexperia USA Inc.
BUK9MRR-55PGG/A,51
Nexperia USA Inc.
BUK9Y1R3-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y1R6-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y1R9-40HX
Nexperia USA Inc.